FDT4N50NZU دیتاشیت

FDT4N50NZU

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDT4N50NZU
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FDT4N50NZU-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDT4N50NZU
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.1nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 476pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.42mΩ@10V,1A
  • Package: SOT-223-4
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه